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SI1427EDH-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供6-TSSOP、SC-88、SOT-3633等封装箱功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SC-70-6（SOT-363）供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET P信道，FET型金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Tc），最大Id Vgs的Rds为64mOhm@3A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@8V，晶体管极性为P沟道。
SI1428EDH-T1-GE3是MOSFET N沟道30-V（D-S），包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘等封装功能，信道数设计为在1个信道中工作。
SI1433DH-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1433DH-T1在SOT-363封装中提供，是FET的一部分-单个。
