9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA100N08N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA100N08N3GXKSA1参考价格为0.68000美元。Infineon Technologies IPA100N08N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP。您可以下载IPA100N08N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPA100N08N3GXKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPA093N06N3 G是MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA093N6N3GXK IPA093M06N3GXKSA1 SP000451088，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为33 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为43A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导最小值为51S，并且信道模式是增强。
IPA100N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 40A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为10 mOhms，Qg栅极电荷为9 nC，Pd功耗为35 W，部件别名为IPA100N08N3GXK IPA100N08N3XKSA1 SP000473900，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为40 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPA086N10N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP。IPA086N10N3G采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP。
IPA086N10N3G（086N110N），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPA086N10N3G（086N110N）采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
