9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6629TR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6629TR1PBF价格参考2.058美元。Infineon Technologies IRF6629TR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET。您可以下载IRF6629TR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF6628TRPBF是MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于DIRECTFET-3，提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及1 N通道晶体管类型，该器件也可以用作96W Pd功率耗散。此外，Vgs栅极-源极电压为20 V，器件提供27 A Id连续漏极电流，器件具有25 V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为2.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为31 nC。
IRF6626TR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET。IRF6626TR 1PBF可用于DIRECTFET™ 等距ST封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET、N沟道30V 16A（Ta）、72A（Tc）2.2W（Ta）和42W（Tc）表面安装DIRECTFET？ST，Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 7引脚直接FET ST T/R。
IRF6628带有由IR制造的电路图。IRF6628是SMD封装的一部分，是FET的一部分。
IRF6628TR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET。IRF6628TR 1PBF可用于DIRECTFET™ Isometric MX封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET、N沟道25V 27B（Ta）、160A（Tc）2.8W（Ta）和96W（Tc）表面安装DIRECTFET？MX，Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 7引脚直接FET MX T/R。
