9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1450DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1450DH-T1-E3参考价格为1.842美元。Vishay Siliconix SI1450DH-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70。您可以下载SI1450DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1442DH-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1442DH-GE3的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-3633封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1010pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为20 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@8V，Pd功耗为2.8 W，Vgs栅极-源极电压为1 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Rds漏极源极导通电阻为30 mΩ，晶体管极性为N沟道。
Si1443EDH-T1-GE3是MOSFET-30V54mOhm@10V4A P-Ch G-III，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为1800 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以64 ns上升时间提供，器件具有54 mOhm的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为18.5nC，Pd功耗为2.8 W，零件别名为SI1443EDH-GE3，封装为卷轴，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为-4A，正向跨导最小值为14S，下降时间为420ns，配置为单。
SI1443EDH-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1443EDH-T1-E3在SC70-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
