9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA50R399CPXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA50R399CPXKSA1参考价格为0.77000美元。Infineon Technologies IPA50R399CPXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP。您可以下载IPA50R399CPXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPA50R399CPXKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPA50R399CP是MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPA50R3998CPXK IPA50R3995CPXKSA1 SP000234987中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为500V，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为17nC，沟道模式为增强。
IPA50R380CEXKSA1是MOSFET N-Ch 500V 9.9A TO220FP-3，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为7.2 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IPA50R380，上升时间为5.6 ns，漏极-源极电阻Rds为500 V，Qg栅极电荷为24.8 nC，Pd功耗为29 W，部件别名为SP000848216，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为9.9 A，下降时间为8.6 ns，配置为单一。
带有电路图的IPA50R380CEXKSA2，包括TO-220-3封装盒，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPA50R380 CE SP001217228中使用的数据表注释中，IPA50R380-CE SP001217 228提供漏极电阻特性，如500 V，技术设计用于硅。
IPA50R380CE（5R380CE），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPA50R380CE（5R380CE）采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
