9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1472DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1472DH-T1-E3参考价格1.286美元。Vishay Siliconix SI1472DH-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6。您可以下载SI1472DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1471DH-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI1471DH-E3中使用的零件别名，该SI1471DH-13提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.78W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为445pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为100mOhm@2A、10V，Vgs最大Id为1.6V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9.8nC@4.5V，Pd功耗为1.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为17 ns 9 ns，上升时间为48 ns 20 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为175 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是23ns 20ns，并且典型接通延迟时间是22ns 4ns，并且沟道模式是增强。
SI1471DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供晶体管类型功能，如1个P通道，晶体管极性设计用于P通道，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为175 mOhms，该器件提供1.5 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为2.8A，并且配置为单一。
SI1470DH-T1-E3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6。SI1470DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6、N沟道30V 5.1B（Tc）1.5W（Ta）、2.8W（Tc）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
SI1470DH-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6。SI1470DH-T1-GE3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6、N沟道30V 5.1B（Tc）1.5W（Ta）、2.8W（Tc）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
