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IPP50R350CP是MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP50R150CPHKSA1 IPP50R450CPXK IPP50R250CPXKSA1 SP000680940中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为89 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPP50R299CPXKSA1是MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为35纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IPP50R299，上升时间为14 ns，漏极-源极电阻Rds为299 mOhms，Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPP50 R299CP IPP50R2 99CPXK SP000680938，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为12 A，下降时间为12 ns。
IPP50R350CP 5R350P，电路图由FEELING制造。IPP50R350CP 5R350P采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
