9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6655TR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6655TR1PBF参考价格$14.208。Infineon Technologies IRF6655TR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET。您可以下载IRF6655TR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF6646TRPBF是MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DIRECTFET，提供封装外壳功能，如DIRECTFET-3，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该器件也可以用作单四漏双源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供89 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为12 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds漏极漏极-漏极电阻为7.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为36nC，沟道模式为增强。
IRF6648TRPBF是MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如28 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作DirectFET商品名。此外，该技术为Si，器件的上升时间为29 ns，器件具有5.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为89 W，封装为卷轴，封装外壳为DirectFET-7，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为86 A，下降时间为13 ns，配置为单四漏双源，通道模式为增强型。
IRF6648是由IR制造的Trans-MOSFET N-CH Si 60V 86A 7引脚直接FET MN T/R。IRF66488可用于SMD封装，是IC芯片的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH Si60V 86A7引脚直接FET-MN T/R。
IRF6648TR1PBF是由IOR制造的MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET。IRF6648TR1PBF可用于DirectFET™ 等距MN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET、N沟道60V 86B（Tc）2.8W（Ta）、89W（Tc？MN。
