9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6633TR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6633TR1PBF价格参考2.882美元。Infineon Technologies IRF6633TR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET。您可以下载IRF6633TR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF6631TRPBF是MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于DIRECTFET-2的封装盒，该DIRECTFET-2提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及1 N通道晶体管类型，该器件也可以用作42W Pd功率耗散。此外，Vgs栅极-源极电压为20V，器件提供13A Id连续漏极电流，器件具有30V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为8.3mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为12nC。
IRF6631TR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET。IRF6631TR 1PBF可用于DIRECTFET™ 等距SQ封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET、N沟道30V 13B（Ta）、57A（Tc）2.2W（Ta）和42W（Tc）表面安装DIRECTFET？SQ，Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 6引脚直接FET SQ T/R。
IRF6633带有由IR制造的电路图。IRF6633是QFN封装的一部分，是FET的一部分。
IRF6633TR1是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP™ 等距MP封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP、N沟道20V 16A（Ta）、59A（Tc）2.3W（Ta）和42W（Tc）表面安装DIRECTFET？MP，Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7引脚直接FET MP T/R。
