9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1488DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1488DH-T1-E3参考价格$3.334。Vishay Siliconix SI1488DH-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6。您可以下载SI1488DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1480DH-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-3633包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为130pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为200mOhm@1.9A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5nC@10V，Pd功耗为2.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为13 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第h栅极-源极端电压为1.6 V至3 V，Rds导通漏极-源极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为1.8nC，正向跨导最小值为3.7S，沟道模式为增强。
SI1473DH-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns 4 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns 15 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns 10 ns，器件漏极-源极电阻为100 mOhms，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI1473DH-E3，包装为卷筒，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.8 A，下降时间为15 ns 6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI1473DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6，包括单一配置，它们设计为以6 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了用于2.8 a的电流，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为SOT-363-6，器件采用卷筒封装，器件具有SI1473DH-GE3部件别名，Pd功耗为1.5W，Qg栅极电荷为4.1nC，漏极电阻Rds为100mOhm，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.000265盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为20 V，第Vgs栅极源极阈值电压为-1 V至-3 V。
SI1471DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6，包括TrenchFET商品名，它们设计用于SOT-363-6封装盒，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供配置功能，如单体，技术设计用于Si，以及卷筒封装，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，Id连续漏极电流为2.8 A，器件的漏极-源极电阻为175 mOhms Rds，器件的Vgs栅极-源极电压为12 V，Pd功耗为1.5 W，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000265 oz，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-55℃，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V。
