9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD135N03LGXT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD135N03LGXT参考价格为0.722美元。Infineon Technologies IPD135N03LGXT封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3。您可以下载IPD135N03LGXT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPD135N03L G是MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。IPD135NO3LGBTMA1 IPD135NO 3LGXT SP000236951中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为31 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.2 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
IPD12N03LBG，带有INFLEON制造的用户指南。IPD12N03LBG采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
IPD135N03L，带有INFINEON制造的电路图。IPD135N03L在SOT-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
