9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2351DS-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2351DS-T1-E3参考价格为12.344美元。Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3。您可以下载SI2351DS-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si2347DS-T1-GE3是MOSFET-30V.042Ohm@10V5A P-Ch G-III，包括卷筒包装，其设计为单位重量为0.050717盎司，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1 V至-2.5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为68 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为19 ns，典型接通延迟时间为6 ns，Qg栅极电荷为6.9 nC，正向跨导最小值为10 S。
SI2350DS，带有VISHAY制造的用户指南。SI2350DS采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
SI2351DS，带有VISHAY制造的电路图。SI2351DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
