9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3424DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3424DV-T1-E3参考价格为2.154美元。Vishay Siliconix SI3424DV-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP。您可以下载SI3424DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3424CDV-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP，包括SI3424CDV系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及TSOP-6封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3.6 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为4.2nC，正向跨导Min为17S，并且信道模式是增强。
SI3424DV，带有VISHAY制造的用户指南。SI3424DV在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3424DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3424DV-T1在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
