9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3433BDV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3433BDV-T1-E3参考价格$2.896。Vishay Siliconix SI3433BDV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP。您可以下载SI3433BDV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3430DV-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SI3430DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于SOT-23-6薄型、TSOT-23-6以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的6-TSOP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.14W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为170 mOhm@2.4A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA（Min），栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@10V，Pd功耗为1.14 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.4A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
SI3430DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以11 ns上升时间提供，器件具有170 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.14W，零件别名为SI3430DV-GE3，封装为卷轴，封装外壳为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.4A，下降时间为9ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI3433BDV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3433BDV-T1在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
