9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA60R520C6XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA60R520C6XKSA1参考价格为0.65000美元。Infineon Technologies IPA60R520C6XKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP。您可以下载IPA60R520C6XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPA60R460CEXKSA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于IPA60R460CE SP001276042零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为30 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为9.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为460mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为28nC，沟道模式为增强。
IPA60R520C6是MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为85 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C6系列，上升时间为10 ns，漏极-源极电阻Rds为520 mOhms，Qg栅极电荷为23.4 nC，Pd功耗为29 W，零件别名为IPA60R520C6XK IPA60R520 C6XKSA1 SP000645072，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为8.1 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPA60R450E6是MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220，包括单一配置，它们设计为在10 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于9.2 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有零件别名的IPA60R450E6XK IPA60R450 E6XKSA1 SP000842484，Pd功耗为30W，Qg栅极电荷为28nC，Rds漏极-源极电阻为450m欧姆，上升时间为9ns，系列为CoolMOS E6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为70nS，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
