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IPD90N06S4L-06是MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD90NO6S4L06ATMA1 IPD90NO 6S4L06ATM A2 IPD90N 6S4L06XT SP001028682，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-252-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有90 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为6.3 mΩ，晶体管极性为N信道。
IPD90N06S4L05ATMA1是MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供XPD90N06等系列功能，零件别名设计用于IPD90N6S4L-05 IPD90N4L05XT SP000415588以及卷筒包装，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，信道数为1信道。
IPD90N06S4L05ATMA2，带电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-252-3包装箱，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如IPD90NO6S4L-05 IPD90N6S4L05XT SP001028748，系列设计用于IPD90NO 6，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
