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STB57N65M5是MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK，包括MDmesh？V系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件在D2PAK供应商器件包中提供，该器件具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为250W，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Ciss Vds为4200pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为42A（Tc），Rds On最大Id Vgs为63 mOhm@21A，10V，Vgs th最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为98nC@10V，Pd功耗为250 W，Id连续漏极电流为26.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Rds On漏极-漏极电阻为63 mOhm，晶体管极性为N沟道。
STB5701带有ST制造的用户指南。STB5701采用QFN-32封装，是IC芯片的一部分。
STB5701TR，带有ST制造的电路图。STB5701TRQFN32封装，是IC芯片的一部分。
