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IPI45N06S4L-08是MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2,包括OptiMOS-T2系列,它们设计用于管式封装。数据表注释中显示了用于IPI45NO6S4L08AKSA1 IPI45NO 6S4L08AK SA2 IPI45N 6S4L08XK SP001028660的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.073511盎司,商品名设计用于OptiMOS,以及to-262-3包装箱,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为1 N信道晶体管类型,该器件具有45 a的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为60 V,Rds漏极源极电阻为7.9 mOhm,晶体管极性为N信道。
IPI45P03P4L-11是MOSFET P-Ch-30V-45A I2PAK-3 OptiMOS-P2,包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以0.073511盎司的单位重量运行,数据表中显示了用于1个P通道的晶体管类型,该通道提供晶体管极性特性,如P通道,商品名设计用于OptiMOS,以及Si技术,该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外,Rds漏极源极电阻为10.8 mOhms,该器件采用IPI45P03P4L11AKSA1 IPI45P02P4L11XK SP000396310零件别名,该器件具有一个封装管,封装盒为TO-262-3,通道数为1通道,Id连续漏极电流为-45 a。
IPI45N06S4L08AKSA1是MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2,包括1个通道数量的通道,它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管中的封装,该管提供部件别名功能,如IPI45NO6S4L-08 IPI45N6S4L08XK SP000374333,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,晶体管类型为1 N沟道。
IPI45N06S4L08AKSA2是MOSFET MOSFET,包括管封装,它们设计用于使用Si技术。晶体管极性显示在数据表注释中,用于N沟道,提供部件别名功能,如IPI45NO6S4L-08 IPI45N6S4L08XK SP001028660,系列设计用于IPI45NO 6以及1 N沟道晶体管类型,该设备也可以用作1信道数信道。