9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI50R199CPXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI50R199CPXKSA1价格参考1.33000美元。Infineon Technologies IPI50R199CPXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3。您可以下载IPI50R199CPXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI50N10S3L-16是MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI50N50S3L16AKSA1 IPI50N60S3L16XK SP000407120，其提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为15.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPI50R140CP是MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为140mOhms，Pd功耗为192W，部件别名为IPI50R140CPXK IPI50R140CPXKSA1 SP000680734，封装为Tube，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为23 A，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI50R199CP是MOSFET N-CH 500V 17A TO262，包括单一配置，它们设计为在10 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于17A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为I2PAK-3，器件采用管式封装，器件具有部件别名的IPI50R199CPXK IPI50R199CPXKSA1 SP000523756，Pd功耗为139 W，Qg栅极电荷为34 nC，Rds漏极源极电阻为199 mOhms，上升时间为14 ns，系列为CoolMOS CP，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80nS，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPI50R099CP带有INF/EDA/CAD模型。IPI50RO 99CP采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
