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IPI80N04S3-03是MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI80NO4S303AKSA1 IPI80NO 4S303XK SP000261238的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为188 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IPI80N04S3-04是MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T系列，上升时间为12ns，漏极电阻Rds为4.2mOhms，Pd功耗为136W，部件别名为IPI80N04S304AKSA1 IPI80NO4S304XK SP000261226，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI80N04S3-06是MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，以10 ns为单位，提供Id连续漏极电流功能，如80A，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用I2PAK-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为IPI80N04S306AKSA1 IPI80NO4S306XK SP000261237，Pd功耗为100 W，Rds漏极源极电阻为6.1 mOhms，上升时间为10 ns，系列为OptiMOS-T，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPI80N04S3-H4是MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了OptiMOS-T等系列功能，商品名设计用于OptiMOS，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作IPI80N04S3H4AKSA1 IPI80NO4S3H4XK SP000415630部件别名。此外，Id连续漏极电流为80 A，器件提供40 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有4.5 mOhms的漏极-漏极电阻，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.073511盎司。
