9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI80N06S407AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI80N06S407AKSA1参考价格为0.43000美元。Infineon Technologies IPI80N06S407AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3。您可以下载IPI80N06S407AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI80N06S4-07是MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装。数据表注释中显示了用于IPI80NO6S407AKSA1 IPI80NO 6S407AKSA 2 IPI80N 6S407XK SP001028676的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该设备也可以用作I2PAK-3包装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为79 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为43nC，沟道模式为增强。
IPI80N06S4-05是MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极源极电阻为5.4 mOhms，该器件采用IPI80N06S405AKSA1 IPI80NO6S405AKSA 2 IPI80NO 6S405XK SP001028724零件别名，该器件具有一个包装管，包装箱为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为80 a。
带电路图的IPI80N06S405AKSA2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3包装箱一起工作。包装如数据表注释所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPI80NO6S4-05 IPI80NO 6S405XK SP001028724，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPI80N06S3L-06（3N06L06），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPI80N06S3L-06（3N06L06）采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
