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IPI80N06S4L-05是MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI80NO6S4L05AKSA1 IPI80NO 6S4L05AK SA2 SP001028726的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为107 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为83nC，沟道模式为增强。
IPI80N06S4L-07是MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性功能，如N通道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极源极电阻为7.1 mOhms，该器件采用IPI80N06S4L07AKSA1 IPI80NO6S4L07AK SA2 IPI80NO 6S4L07XK SP001028678零件别名，该器件具有一个包装管，包装箱为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为80 a。
带电路图的IPI80N06S407AKSA2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管中的封装，该管提供了部件别名功能，如IPI80NO6S4-07 IPI80NO 6S407XK SP001028676，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
