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IPI80N08S2-07是MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI80NO8S207AKSA1 IPI80NO 8S207XK SP000219043，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为26ns，沟道模式为增强。
IPI80P03P4L-04是MOSFET P-Ch-30V-80A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.073511盎司的单位重量运行，数据表中显示了用于1个P通道的晶体管类型，该通道提供晶体管极性特性，如P通道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外，漏极源极电阻Rds为4.1 mOhms，该器件采用IPI80P03P4L04AKSA1 IPI80P02P4L04XK SP000396318零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为-80 a。
IPI80P03P4-05是MOSFET P-Ch-30V-80A I2PAK-3，包括-80 A Id连续漏极电流，它们设计为以1个通道数量的通道运行。数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了管、零件别名等封装功能，该器件还可以用作IPI80P03系列。此外，该技术为硅，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V。
IPI80N08S406AKSA1具有EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计为在IPI80NO8S4-06 SP000984300以及1 N沟道晶体管类型中工作，该设备也可以用作1信道数信道。
