STE70NM60

Name: STE70NM60
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7158641-STE70NM60
Price: 351.492143 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: 同位素工作温度: 150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 600 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
工作温度 150摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
安装类别机箱安装
供应商设备包装同位素
最大功耗 600W (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 266 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7300 pF @ 25 V
包装/外壳同位素
导通电阻 Rds(ON) 55毫欧姆 @ 30A, 10V

STE70NM60 产品详情

MDmesh是一种新的革命性MOSFET技术，它将多漏工艺与公司的PowerMESH水平布局相结合。所得产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高dv/dt和优异的雪崩特性。采用公司专有的剥离技术，整体动态性能明显优于同类竞争产品。

特色

行业最低耐受性
严格过程控制
TYPICALRDS（开）=0.050Ω
改进的性能
高dv/dt和可用性
低栅极输入电阻
低输入电容和门电荷

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型号	制造商	描述	价格
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STE-1204-W	西克 (SICK)	连接端子种类: 插头，公销主要材质: 金属针位数: four 端接: 螺丝安装类别: 自由悬挂（直线），直角	¥278.70679
STE-0804-G	西克 (SICK)	连接端子种类: 插头，公销主要材质: 金属针位数: four 连接头表面工艺: 金端接: 螺丝安装类别: 自由悬挂（直线）	¥257.26781
STE-1204-G	西克 (SICK)	连接端子种类: 插头，公销主要材质: 金属针位数: four 连接头表面工艺: 金端接: 螺丝安装类别: 自由悬挂（直线）	¥267.9873
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STE70NM60所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STE70NM60 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STE70NM60价格参考￥351.492143，你可以下载 STE70NM60中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STE70NM60规格参数、现货库存、封装信息等信息！