9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1051X-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1051X-T1-E3参考价格为11.292美元。Vishay Siliconix SI1051X-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6。您可以下载SI1051X-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1050X-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI1050X-GE3提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-563、SOT-666封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-89-6，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为236mW，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为8V，输入电容Cis-Vds为585pF@4V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.34A（Ta），最大Id Vgs的Rds为86 mOhm@1.34A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为11.6nC@5V，Pd功耗为236 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为35纳秒，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为1.34 A，Vds漏极-源极击穿电压为8 V，Rds漏极源极电阻为86毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为6.8ns，信道模式为增强。
SI-1050GS，带有SANKEN制造的用户指南。SI-1050GS在模块包中提供，是模块的一部分。
SI1050X-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F。SI1050X-T1-E3以SOT-563、SOT-666封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F、N沟道8V 1.34 A（Ta）236mW（Ta）表面安装SC-89-6。
SI1051DL，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI1051DL采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
