9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7388DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7388DP-T1-E3参考价格为0.97美元。Vishay Siliconix SI7388DP-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8。您可以下载SI7388DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7386DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7386DP-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.8W，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Ta），最大Id Vgs的Rds为7 mOhm@19A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@4.5V，Pd功耗为5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9纳秒，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为7毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35纳秒，典型的开启延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SI7386DP-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以9 ns上升时间提供，器件具有7 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为5 W，零件别名为SI7386DP-E3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为19 A，正向跨导最小值为50 S，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7386ADP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7386ADP-T1-E3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
SI7386DP带有SI制造的EDA/CAD模型。SI7386D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
