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IPP45N06S4-09是MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP45NO6S409AKSA1 IPP45N6S409AKSA2 IPP45NO 6S409XK SP001028648，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-220-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有45 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为9.2 mOhm，晶体管极性为N信道。
IPP410N30NAKSA1是MOSFET中压功率MOS，包括Si技术，它们设计为与IPP410N20N SP001082134零件别名一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供to-220-3等包装箱功能的管。
IPP35CN10NG，带有INF制造的电路图。IPP35CN00NG采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
