9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQT4N20TF,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQT4N20TF价格参考2.008美元。onsemi FQT4N20TF封装/规格:MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4。您可以下载FQT4N20TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQT4N20LTF是MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223,包括卷轴封装,它们设计为以0.006632盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供SOT-223-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供2.2 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为40 ns,上升时间为70 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为850 mA,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds漏极漏极-漏极电阻为1.35欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为15ns,典型接通延迟时间为7ns,正向跨导最小值为1.42S,沟道模式为增强型。
fqt4n20和FSC制造的用户指南。fqt4n20在SOT223封装中提供,是FET的一部分-单个。
FQT4N20L,带有FAI制造的电路图。FQT4N20L在SOT223封装中提供,是FET的一部分-单个。