9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100SK33T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100SK33T1G参考价格为51.57000美元。微芯片技术APTM100SK33T1G封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 23A SP1。您可以下载APTM100SK33T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM100H46FT3G，带引脚细节，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP3，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及SP3供应商设备包，该设备也可以用作4 N通道（H桥）FET类型。此外，功率最大值为357W，器件提供1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，器件具有6800pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为19A，最大Id Vgs上的Rds为552mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为260nC@10V。
APTM100H80FT1G是MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1，包括5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP1供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于960 mOhm@9A、10V，提供208W等功率最大功能，包装设计用于批量工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供3876pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有150nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C的电流连续漏极Id为11A。
APTM100SK18TG，带有Microsemi制造的电路图。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道1000V 43A（Tc）780W（Tc）底盘安装SP4。
