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APL502B2G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 730W (Tc) 供应商设备包装: T-MAX[B2] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 30

数量 单价 合计
30+ 414.21420 12426.42624
  • 库存: 0
  • 单价: ¥376.52940
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12,426.43
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 58A (Tc)
  • 包装/外壳 TO-247-3变体
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2.5毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9000 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 T-MAX[B2]
  • 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 29A, 12V
  • 最大功耗 730W (Tc)

APL502B2G 产品详情

线性MOSFET

线性Mosfet针对线性区域中的应用进行了优化,在该区域中,在接近DC的条件下(>100毫秒)可能会同时出现高电压和高电流。

•更高的FBSOA
•功耗更高
•受欢迎的T-MAX™ 或TO-264包装

APL502B2G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APL502B2G 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APL502B2G价格参考¥376.529399,你可以下载 APL502B2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APL502B2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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