9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1402DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1402DH-T1-GE3参考价格为1.17美元。Vishay Siliconix SI1402DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2.7A SC70-6。您可以下载SI1402DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1401EDH-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1401EDH-GE3的零件别名，该Si1401EDH-GE3提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 P沟道，漏极到源极电压Vdss为12V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为34mOhm@5.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为36nC@8V，Pd功耗为2.8W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，第Vgs栅极源极阈值电压为-1 V，Rds漏极源极电阻为34 mΩ，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为24 nC，并且正向跨导Min为16S。
SI1401EDH-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI1401EDH-T1-E3在SC70-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI1402DH-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363。SI1402DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363、N沟道30V 2.7V（Ta）950mW（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
Si1402DH-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363。Si1402DH-T1-GE3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363、N沟道30V 2.7V（Ta）950mW（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
