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IPP60R520C6是MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP60R5 20C6XK IPP60R420C6XKSA1 SP000645068，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为66W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为23.4nC，沟道模式为增强。
IPP60R450E6是MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极电阻为410 mOhms Rds，该器件具有74 W的Pd功耗，零件别名为IPP60R450E6XK IPP60R550E6XKSA1 SP000842486，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.2 A。
IPP60R450E6XKSA1是MOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。包装如数据表说明所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPP60R4 50E6 IPP60R550E6XK SP000842486，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
