9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7405BDN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7405BDN-T1-E3参考价格$1.6。Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8。您可以下载SI7405BDN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7405BDN-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8，包括卷轴封装，它们设计为与Si7405BDN-E3零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerPAK-1212-8，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供3.6 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强。
SI7404DN-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8。SI7404DN-T1-E3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8、N沟道30V 8.5V（Ta）1.5W（Ta）表面安装PowerPAK？1212-8，Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
SI7404DN-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8。SI7404DN-T1-GE3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8、N沟道30V 8.5V（Ta）1.5W（Ta）表面安装PowerPAK？1212-8.
SI7404DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7404DP-T1-E3采用QFN1212-8封装，是IC芯片的一部分。
