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IPP80P03P4L-07是MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3，包括OptiMOS-P2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如IPP80P02P4L07AKSA1 IPP80P4L07XK SP000396392中使用的数据表注释所示，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有1个晶体管型P通道，Pd功耗为88W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅源电压为+5/-16 V，并且Id连续漏极电流为-80A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2V，Rds漏极漏极-漏极电阻为6.9mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为63nC，沟道模式为增强型。
IPP80P03P4L-04是MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3，包括-16 V+5 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1个P通道，晶体管极性设计用于P通道，以及OptiMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为OptiMOS-P2，该器件的漏极电阻为4.1 mOhms Rds，该器件具有137 W的Pd功耗，零件别名为IPP80P03P4L04AKSA1 IPP80P4L04XK SP000396390，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，配置为单一。
IPP80P03P4L04AKSA1是MOSFET P-Ch-30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的包装，该管提供部件别名功能，如IPP80P4L-04 IPP80P02P4L04XK SP000396390，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 P沟道。
IPP80P03P4L-04（4P03L04），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP80P03P4L-04（4P03L04）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
