CSD25201W15

规格参数

• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 制造厂商 德州仪器 (Texas)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
• 最大栅源极电压 (Vgs) -6伏
• 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
• 最大功耗 1.5W（Ta）
• 供应商设备包装 9-DSBGA
• 包装/外壳 9-UFBGA, DSBGA
• 部件状态 过时的
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 510 pF @ 10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 2A, 4.5V