9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD320N20N3GBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD320N20N3GBTMA1参考价格为10.832美元。Infineon Technologies IPD320N20N3GBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3。您可以下载IPD320N20N3GBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD320N20N3 G是MOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD320N30N3GBTMA1 IPD320N5GBTXT SP000677838，提供单位重量功能，例如0.139322盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为22nC，并且正向跨导Min为55S 28S。
IPD320N20N3GATMA1带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计为与IPD320N3G SP001127832零件别名一起操作。数据表说明中显示了用于卷筒的包装，该卷筒提供to-252-3等包装箱功能。
IPD320N20N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPD320N20N3G采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
