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IPD600N25N3 G是MOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD600N2 5N3GBTMA1 IPD600N 25N3GXT SP000676404，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为22nC，并且正向跨导Min为47S 24S。
IPD5N25S3-430是MOSFET N-Ch 250V 5A DPAK-2，包括3 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件以IPD5N25系列提供，该器件具有2 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为430 mOhms，Qg栅极电荷为4.7 nC，Pd功耗为41 W，部件别名为IPD5N25S33430ATMA1 IPD5N25-S3430XT SP000876584，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为5 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD600N25N3GATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计为与卷筒封装一起工作。数据表注释中显示了IPD600N2 5N3G SP001127834中使用的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPD600N25N3G，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPD600N25N3G采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
