9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7457DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7457DP-T1-E3参考价格为6.988美元。Vishay Siliconix SI7457DP-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8。您可以下载SI7457DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7456DP-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI7456DP E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@9.3A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为44nC@10V，Pd功耗为5.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为25毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46纳秒，典型开启延迟时间为14ns，信道模式为增强。
SI7456DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为10ns，Rds On Max Id Vgs为25mOhm@9.3A，10V，Rds On Drain Source Resistance为25mOhms，Power Max为1.9W，Pd功耗为5.2W，部件别名为SI7456DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为9.3 A，栅极电荷Qg Vgs为44nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为10 ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为5.7A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
SI7456DP。电路图由VIS制造。SI7456DP。QFN8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI7456DP-T1是由VISHAY制造的Trans-MOSFET N-CH 100V 5.7A汽车8引脚PowerPAK SO T/R。SI7456DP-T1以SO-8封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A汽车8引脚PowerPAK SO T/R。
