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STE140NF20D

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: ISOTOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥38.86540
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥38.87
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 140A(Tc)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 500W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@70A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11100 pF@25 V
  • 安装类别 机箱安装
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 338 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 同位素
  • 供应商设备包装 ISOTOP

STE140NF20D 产品详情

该功率MOSFET采用STMicroelectronics独特的STripFETTM工艺生产,该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。由于内置快体二极管,该器件提供了极快的开关性能,使该器件成为硬开关拓扑的理想选择。

特色

  • 异常v/dt能力
  • 低门电荷
  • 100%雪崩测试
STE140NF20D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STE140NF20D 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STE140NF20D价格参考¥38.865401,你可以下载 STE140NF20D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STE140NF20D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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