9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF16NK60Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF16NK60Z价格参考$4.04。STMicroelectronics STF16NK60Z封装/规格：MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP。您可以下载STF16NK60Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF16N65M5是MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为12 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为279mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为31nC，沟道模式为增强。
带用户指南的STF16N65M2，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为11.3 ns，以及36 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh M2系列，该器件的上升时间为8.2 ns，漏极-源极电阻Rds为320 mOhms，Qg栅极电荷为19.5nC，Pd功耗为25 W，封装为管，封装盒为TO-220FP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为11.3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF16NF25是MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于17 ns，提供Id连续漏极电流特性，如13 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为25W，Rds漏极-源极电阻为235mOhm，上升时间为17ns，系列为N信道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为9ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为20V。
