9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7491DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7491DP-T1-GE3参考价格$4.803。Vishay Siliconix SI7491DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8。您可以下载SI7491DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7489DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7489DP-GE3的零件别名，该SI7489DPE-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为83W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为4600pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为28A（Tc），最大Id Vgs的Rds为41 mOhm@7.8A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为160nC@10V，Pd功耗为5.2 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为100纳秒，上升时间为20纳秒160纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Rds漏极源极电阻为41毫欧姆，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是110ns 100ns，并且典型接通延迟时间是15ns 42ns，并且沟道模式是增强。
SI7489DP-T1-E3是MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-100 V，提供单位重量功能，如0.017870盎司，典型开启延迟时间设计为15 ns 42 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为20 ns 160 ns，Rds On Max Id Vgs为41 mOhm@7.8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为41 m欧姆，功率最大为83W，Pd功耗为5.2 W，零件别名为SI7489DP-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为4600pF@50V，Id连续漏极电流为7.8 A，栅极电荷Qg-Vgs为160nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为100 ns，漏极-源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为28A（Tc），并且配置为单一，信道模式为增强。
SI7491DP，带有SI制造的电路图。SI7491D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单体。
SI7491DP-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8。SI7491DP-T1-E3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8、P沟道30V 11A（Ta）1.8W（Ta）表面安装PowerPAK？SO-8、跨MOSFET P-CH 30V 11A 8引脚PowerPAK SO T/R。
