9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF30N65M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF30N65M5参考价格为9.626美元。STMicroelectronics STF30N65M5封装/规格：MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP。您可以下载STF30N65M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF2N95K5带有引脚细节，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为20W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为950V，输入电容Cis-Vds为105pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为5 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V，Pd功耗为20W，下降时间为32.5 ns，上升时间为13.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为950V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-电源电阻为4.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20.5ns，典型接通延迟时间为8.5ns，Qg栅极电荷为10nC。
STF30N10F7是MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联N沟道STripFET，上升时间为17.5ns，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，Qg栅极电荷为19nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为5.6 ns，配置为单一。
STF2NK60Z是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP。STF2NK60c可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 1.4A TO-220FP、N通道600V 1.4A（Tc）20W（Tc。
