9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP5N95K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP5N95K3参考价格2.956美元。STMicroelectronics STP5N95K3封装/规格：MOSFET N-CH 950V 4A TO220。您可以下载STP5N95K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP5N60M2为MOSFET N-CH 600V 1.26欧姆（典型值）。3.7A MDmesh M2，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有45W的Pd功耗，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅-源极阈值电压为3V，Rds漏极源极电阻为1.26欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为4.5nC。
STP5N62K3是MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A，包括620 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.011640 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si以及N沟道MDmesh系列中工作，该器件也可以用作1.6欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为26 nC，该器件提供70 W Pd功耗，该器件有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为4.2 a，配置为单一。
STP5N90，带有ST制造的电路图。STP5N9采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
