9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60SKM24T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60SKM24T1G参考价格67.44000美元。Microchip Technology APTC60SKM24T1G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 95A SP1。您可以下载APTC60SKM24T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTC60HM83FT2G是MOSFET 2N-CH 600V 36A模块，包括CoolMOS？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于模块，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及模块供应商设备包，该设备也可以用作2 N沟道（半桥）FET类型。此外，最大功率为250W，该器件提供600V漏极到源极电压Vdss，该器件具有7290pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为36A，最大Id Vgs上的Rds为83 mOhm@18A，10V，Vgs最大Id为5V@3mA，栅极电荷Qg-Vgs为255nC@10V。
APTC60HM70T3G是MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3，包括3.9V@2.7mA Vgs和最大Id，它们设计用于SP3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于70 mOhm@39A，10V，提供250W等最大功率功能，包装设计用于批量工作，以及SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供7000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有259nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为600V，25°C电流连续漏极Id为39A。
APTC60SKM24CT1G，带有Microsemi制造的电路图。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-SiC，N通道600V 95A（Tc）462W（Tc）底盘安装SP1。
