该N沟道功率MOSFET产品利用了ST专有STripFET技术的第六代设计规则，并采用了新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS（开启）。
特色
- RDS（on）*Qginindustrybnchmark
- 电阻极低RDS（开）
- 高雪崩强度
- 低速门驱动功率损失
STU75N3LLH6
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
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- 单价: ¥27.32022
-
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- +
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最大功耗 60W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
- 供应商设备包装 TO-251 (IPAK)
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 5.9毫欧姆 @ 37.5A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23.8 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2030 pF@10 V
STU75N3LLH6 产品详情
STU75N3LLH6 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| STUCOL-TALL-SS | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-TALL-NP | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-TALL-BT | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-SHRT-GY | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-SHRT-NP | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-SHRT-SS | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-SHRT-BT | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 | |
| STUCOL-TALL-GY | DECORATIVE STUCCO CBU MAILBOX CE | ¥0.00 |
STU75N3LLH6所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STU75N3LLH6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STU75N3LLH6价格参考￥27.320219，你可以下载 STU75N3LLH6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STU75N3LLH6规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
