9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW13NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW13NM60N参考价格为0.636美元。STMicroelectronics STW13NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3。您可以下载STW13NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW13NK60Z是MOSFET N-CH 600V 13A TO-247，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为2030pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为13A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为550 mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为92nC@10V，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为14ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型导通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为66nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
STW13NK100Z是MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247，包括4.5V@150μA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1000 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为45 ns，以及145 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，系列为SuperMESH？，上升时间为35ns，Rds On Max Id Vgs为700mOhm@6.5A，10V，Rds On漏极-源极电阻为700mohm，Qg栅极电荷为190nC，功率最大值为350W，Pd功耗为350W。封装为管，封装外壳为TO-247-3，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为6000pF@25V，Id连续漏极电流为13A，栅极电荷Qg-Vgs为266nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为45 ns，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），电流连续漏极Id 25°C为13A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
STW13NK80Z是由ST制造的MOSFET N-CH 800V 12A TO-247。STW13MK80Z可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 12A-TO-247、N沟道800V 12A-130W（Tc）通孔TO-247-3。
STW13NM60采用ST制造的EDA/CAD型号。STW13MM60采用TO-247-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 11A TO-247。
