9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3473DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3473DV-T1-GE3价格参考2.858美元。Vishay Siliconix SI3473DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP。您可以下载SI3473DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si3473CDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si3473CDV-GE3的零件别名，该SI3473CDVD-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为4.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为2010pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为22mOhm@8.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为65nC@8V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为40 ns 35 ns，上升时间为55 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60 ns 62 ns，典型开启延迟时间为20ns 10ns，信道模式为增强。
SI3473DV-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为130 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在50ns上升时间内提供，器件具有23mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.1W，零件别名为SI3473DV-E3，封装为卷轴，封装外壳为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.9 A，下降时间为50 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
Si3473DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP，包括单一配置，它们设计为在5.9 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作TSOP-6封装盒。此外，包装为Reel，该器件以SI3473DV-GE3零件别名提供，该器件具有1.1W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为23mOhms，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.000705oz，Vds漏极源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极电压为8V。
SI3473DV-T1是由科信制造的Trans-MOSFET P-CH 12V 5.9A 6引脚TSOP T/R。SI3473DV-T1采用SOT163封装，是FET的一部分-单个，支持Trans-MOSFET P-CH 12V 5.9A 6引脚TSOP T/R。
