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SI3493BDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3493BVV-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.08 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为84 ns，上升时间为72 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-900mV，Rds漏极源极电阻为27.5mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型开启延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强。
SI3493DV，带有VSHAY制造的用户指南。SI3493DV在SOT-163封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3493DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3493DV-T1在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
