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APT20M11JVFR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 175A(Tc) 最大功耗: 700W (Tc) 供应商设备包装: 同位素 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 10

数量 单价 合计
10+ 594.16405 5941.64059
  • 库存: 0
  • 单价: ¥545.93359
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5,941.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 SOT-227-4,迷你超直瞄
  • 最大功耗 700W (Tc)
  • 供应商设备包装 同位素
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 5毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 175A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@500毫安,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 21600 pF @ 25 V

APT20M11JVFR 产品详情

功率MOS V®FREDFET

Power MOS V®是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术最大限度地减少了JFET效应,增加了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V®还通过优化的栅极布局实现更快的开关速度。

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•降低泄漏
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APT20M11JVFR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APT20M11JVFR 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APT20M11JVFR价格参考¥545.933588,你可以下载 APT20M11JVFR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APT20M11JVFR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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