9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM120DA30CT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM120DA30CT1G参考价格为79.50000美元。微芯片技术APTM120DA30CT1G封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1。您可以下载APTM120DA30CT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM120DDA57T3G带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP33，以及2 N通道（双）FET类型，该设备也可以用作390W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），该器件提供5155pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为17A，最大Id Vgs的Rds为684 mOhm@8.5A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为187nC@10V。
APTM120DSK57T3G带用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于684 mOhm@8.5A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于批量工作，以及SP3包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供5155pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备具有187nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），25°C的电流连续漏极Id为17A。
APTM120DA30T1G，带有Microsemi制造的电路图。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道1200V 31A（Tc）657W（Tc）底盘安装SP1。
